TS為三一模一樣步變壓器，其接線。P端為集成化六脈沖觸發(fā)電+24V電源輸出端，接脈沖變壓器一次繞組連接公共端。P1~P6端為集成化六脈沖觸發(fā)電功放管V1~V6集電極輸出端，分別接脈沖變壓器一次繞組的另一端。UC端為移相控制電壓輸入端。三相橋式半控電三相橋式半控電三相橋式半控整流電與三相橋式全控整流電根本同樣，僅將共陽(yáng)極組VT4，VT6，VT2的晶閘管元件換成了VD4，VD6，VD2整流二極管，以構(gòu)成三相橋式半控整流電。

　　無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)（固態(tài)開(kāi)關(guān)）：作為功率開(kāi)關(guān)元件，可控硅可以替代接觸器、繼電器應(yīng)用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。

　?。ㄒ唬┛煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)pn結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩可控硅反向連接而成。它的功用不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

　　圖1c為單相橋式半控整流電，出于可控的晶閘管與不控的二極管混合組成，故稱半控。F稱續(xù)流二極管，若直流電壓變?yōu)樨?fù)值，它成為直流側(cè)環(huán)流的徑，維持輸出電壓為零。單相整流電比較簡(jiǎn)略，對(duì)觸發(fā)電的要求較低，相位同步問(wèn)題很簡(jiǎn)捷、簡(jiǎn)便，調(diào)整也比較容易。但它的輸出直流電壓的紋波系數(shù)較大。出于它接在電網(wǎng)的一相上，易造成電網(wǎng)負(fù)擔(dān)不平衡，因此一般只適用于4kW以下的中小容量的設(shè)備上。假使負(fù)擔(dān)較大，一般都用三相電。整流電三相整流電當(dāng)整流容量較大，要求直流電壓脈動(dòng)較小，對(duì)快速性有特殊要求的場(chǎng)合，應(yīng)斟酌選取三相可控整流電。

　　準(zhǔn)則9：器件不變到散熱器時(shí)，以免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。不變，繼而焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

　　（二）可控硅（又叫晶閘管）t在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與電源和負(fù)載連接，組成可控硅的主電，可控硅的門(mén)極g和陰極k與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電。

　　6、在全波和橋式整流電中，都將輸入交流電壓的負(fù)半周轉(zhuǎn)到正半周或?qū)⒄胫苻D(zhuǎn)到負(fù)半周，這少量與半波整流電不同，在半波整流電中，將輸入交流電壓一個(gè)半周切除。7、在整流電中，輸入交流電壓的幅值遠(yuǎn)大于二極管導(dǎo)通的管壓降，從而 可將整流二極管的管壓降忽略不計(jì)。8、關(guān)于倍壓整流電，它能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電輸出電流的能力欠缺，從而 持有高電壓，小電流的輸出特質(zhì)。9、闡明上述整流電時(shí)；主要用二極管的單電特質(zhì)，整流二極管的導(dǎo)通電壓由輸入交流電壓供給。

　　準(zhǔn)則6：假設(shè)雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源霎時(shí)過(guò)程中有興許被超出，采取下列措施之一：負(fù)擔(dān)上電感量為幾μH的不飽和電感，以dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增添濾波電。

　　（三）雙向可控硅屬于npnpn五層器件，三個(gè)電極分別是t1、t2、g。因該器件可以雙向?qū)?，故除門(mén)極g以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用t1、t2。表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)g極和t2極相對(duì)于t1，的電壓均為正時(shí)，t2是陽(yáng)極，t1是陰極。反之，當(dāng)g極和t2極相對(duì)于t1的電壓均為負(fù)時(shí)，t1變成陽(yáng)極，t2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?/p>

　　在可控硅整流電的溝通輸人端、直流輸出端及元件上。都接有RC吸收網(wǎng)絡(luò)或硒堆等過(guò)電壓，因?yàn)榭煽毓璧哪褪苓^(guò)電壓的能力欠缺。而在溝通側(cè)及直流側(cè)會(huì)經(jīng)常發(fā)生少數(shù)過(guò)電壓，如電網(wǎng)操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、直流側(cè)電感負(fù)荷電流驟變時(shí)過(guò)電壓、熔斷器熔斷致使過(guò)電壓和可控硅換向時(shí)過(guò)電壓等，都有能夠?qū)е略p壞或性質(zhì)降低。從而 要采納過(guò)電壓護(hù)衛(wèi)措施。