和雙向可控硅的區(qū)別推薦如下：單向可控硅有陽極A、陰極K、操控極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有榜首陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、操控極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，一同操控極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。目前A、K間呈低阻導(dǎo)通情況，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，操控器G 縱使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通情況。

　　設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,

　?。ㄒ唬┛煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個(gè)pn結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩可控硅反向連接而成。它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

　　不然，當(dāng)G極和T2極相對于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特征見圖3，鑒于正、反向特點(diǎn)曲線持有對稱性，于是它可在任何一個(gè)方通。從晶閘管的內(nèi)部解析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖二.當(dāng)晶閘管承擔(dān)正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，務(wù)必使承擔(dān)反向電壓的PN結(jié)J2失去抵擋效應(yīng)。

　　在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采取KP-60微秒以內(nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間選取KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)荷連接，組成晶閘管的主電，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的安置連接，組成晶閘管的控制電。

　?。ǘ┛煽毓瑁ㄓ纸芯чl管）t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負(fù)載連接，組成可控硅的主電，可控硅的門極g和陰極k與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電。

　　此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓更深一步改善到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增添，特征發(fā)生了彎曲，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會發(fā)生永久性反向擊穿。（2）正向特征當(dāng)控制極開，陽極上加上正向電壓時(shí)，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特點(diǎn)一模一樣，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增添，特質(zhì)發(fā)生了彎曲，彎曲處的是UBO叫，正向轉(zhuǎn)折電壓陽極加正向電壓鑒于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增作用，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大批的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。

　?。ㄈ╇p向可控硅屬于npnpn五層器件，三個(gè)電極分別是t1、t2、g。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極g以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用t1、t2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)g極和t2極相對于t1，的電壓均為正時(shí)，t2是陽極，t1是陰極。反之，當(dāng)g極和t2極相對于t1的電壓均為負(fù)時(shí)，t1變成陽極，t2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?/p>

　?。ㄋ模┊?dāng)可控硅承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的pn結(jié)j2失去作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電，當(dāng)有足夠的門極電流ig流入時(shí)，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。

　　當(dāng)正向陽極電壓，而門極未受電壓的景況下，式（1—1）中，Ig=0，(a1a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，鑒于充分大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，故而提升起點(diǎn)流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生充分大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并進(jìn)步了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。

　　當(dāng)晶閘管正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，務(wù)必使承擔(dān)反向電壓的PN結(jié)J2失去抵抗效用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。故而，兩個(gè)雙方復(fù)合的晶體管電，當(dāng)有充分的門極電流Ig流入時(shí)，就會形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。