在可控硅整流電的交流輸人端、直流輸出端及元件上都接有RC吸收網(wǎng)絡(luò)或硒堆等過(guò)電壓，因?yàn)榭煽毓璧哪褪苓^(guò)電壓的能力較差。而在交流側(cè)及直流側(cè)會(huì)經(jīng)常產(chǎn)生一些過(guò)電壓，如電網(wǎng)操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、直流側(cè)電感負(fù)載電流突變時(shí)過(guò)電壓、熔斷器熔斷引起過(guò)電壓和可控硅換向時(shí)過(guò)電壓等，都有可能導(dǎo)致元件損壞或性能下降。所以要采取過(guò)電壓措施。

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