廣泛用于不同行業(yè)各類用途，如：調(diào)溫，調(diào)光，勵磁，電鍍，電解，電焊，等離子拉弧，充放電，穩(wěn)壓的電源安裝，還可適用于交流電機(jī)軟起動和直流電機(jī)的一般性調(diào)速。以下簡捷、簡便推薦幾個對于它的典范應(yīng)用：一、直流電機(jī)拖動直流拖動系統(tǒng)由軟起動部分，電流，轉(zhuǎn)速PI調(diào)節(jié)器部分，功率調(diào)節(jié)部分（晶閘管模塊），電動機(jī)部分構(gòu)成。應(yīng)用領(lǐng)域：該系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于吹塑，擠塑，印染（轉(zhuǎn)速調(diào)定），造紙，化工，冶金（拔絲，羅紋鋼拉絲），礦山，機(jī)床（龍門刨床，龍門銑頭），紡織，制糖等行業(yè)。

　　無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：作為功率開關(guān)元件，可控硅可以更換接觸器、繼電器應(yīng)用于開關(guān)頻率很高的場合。

　　（一）可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個pn結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

　　若用硬線kΩ或更小。高頻旁電容和門極間串接電阻。另一治理辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。規(guī)則5：若dVD/dt或dVCOM/dt興許導(dǎo)致問題，在MT1和MT2間參與RC緩沖電。若高dICOM/dt興許致使問題，參加一幾mH的電感和負(fù)擔(dān)。另一種處理辦法，采取Hi-Com雙向可控硅。雙向可控硅準(zhǔn)則6：倘若雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源剎那過程中有或許被超出，采取下列措施之一：負(fù)擔(dān)上電感量為幾μH的不飽和電感，以dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)添加濾波電。

　　準(zhǔn)則6：倘若雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源剎那過程中有大概被超出，采取下列措施之一：負(fù)荷上電感量為幾μH的不飽和電感，以dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增添濾波電。

　?。ǘ┛煽毓枘K的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。

　　各位熟悉的過電壓是需要的嗎，為了方便各位的使用，使每位更清楚的知曉這種產(chǎn)品的使用方法，下面小編告訴你常用的措施，每位一同來知曉一下吧。當(dāng)晶閘管模塊的關(guān)斷、正向電流縮短到零時，管芯內(nèi)部會殘留很多載流子，在反向電壓的影響下會剎那出現(xiàn)反向電流，使的載流子迅速消失，形成極大的di/dt。即若 線中的電感很小，鑒于反向電勢V＝-Ldi/dt，從而 也能產(chǎn)生很高的電壓尖峰（或毛刺），假如這個尖峰電壓超過晶閘管準(zhǔn)許的峰值電壓，就會損壞器件。

　?。ㄈ┛煽毓枘K的分類可控硅模塊從x芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（mtc\mtx）、普通整流管模塊（mdc）、普通晶閘管、整流管混合模塊（mfc）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（mkc\mzc）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)專用模塊mtg\mdg）、三相整流橋輸出可控硅模塊（mds）、單相（三相）整流橋模塊（mdq）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（mts）以及肖特基模塊等。

　　2、逆導(dǎo)可控硅。  這種可控硅主要應(yīng)用于直流供電車輛的調(diào)速，多見的就是無軌電車的調(diào)速。  3、可關(guān)斷可控硅。  這是一種時新可控硅，主要是利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用的負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)，利用這種特點(diǎn)可以做成無觸點(diǎn)開關(guān)或者應(yīng)用于直流調(diào)壓，電視機(jī)中行掃描電及高壓脈沖發(fā)生器電等。  4、快速可控硅。  這種可控硅可以工作在較高的頻率下，應(yīng)用于大功直率流開關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電中。

　　規(guī)則5：若dVD/dt或dVCOM/dt興許引致問題，在MT1和MT2間參加RC緩沖電。若高dICOM/dt大概引致問題，參與一幾mH的電感和負(fù)擔(dān)。另一種處理辦法，采取Hi-Com雙向可控硅。