P出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān)，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）的特性、能力、

　　在微電子器件中，帶隙是決定底層材料的導(dǎo)電性的主要因素。大帶隙材料通常是不能很好地導(dǎo)電的絕緣體，而具有較小帶隙則是是半導(dǎo)體。與使用成熟帶隙材料（如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN））制造的傳統(tǒng)小帶隙硅基芯片相比，氧化鎵能夠在更高的溫度和功率下工作。

　　氧化鎵具有4.8電子伏特（eV）的極寬帶隙，超過硅的1.1eV及SiC和GaN的3.3eV，使氧化鎵能夠承受比硅、SiC和GaN更大的電場而不會發(fā)生擊穿。此外，氧化鎵在較短距離內(nèi)處理相同的電壓，對于制造更小、更高效的高功率晶體管非常有用。

　　佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程教授、論文作者Stephen Pearton說：“氧化鎵為半導(dǎo)體制造商提供了一種高度適用于微電子器件的襯底材料。該化合物非常適用于為電動汽車的配電系統(tǒng)或轉(zhuǎn)換器，這些轉(zhuǎn)換器能將電力從風(fēng)力渦輪機(jī)等替代能源轉(zhuǎn)移到電網(wǎng)中。”

　　Pearton和他的同事們還研究了氧化鎵作為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的潛力。Pearton說：“傳統(tǒng)上，這些微型電子開關(guān)由硅制成，用于筆記本電腦、智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。對于像電動汽車充電站這樣的系統(tǒng)，我們需要能夠在比硅基器件更高的功率水平下工作的MOSFET，而氧化鎵可能就是解決方案。”為了實(shí)現(xiàn)這些先進(jìn)的MOSFET，作者確定了需要改進(jìn)柵極電介質(zhì)，以及更有效地從器件中熱量的熱管理方法。

　　Pearton得出結(jié)論，氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料，但更有可能在擴(kuò)展超寬帶隙系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。他說：“最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。”

　　文章出處：【微信號：gh_030b7610d46c，微信號：GaN世界】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

　　散熱片很重要！電設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面是，它們提供了一種有效的熱量輸送徑，可以將電子設(shè)備（例如BJT....

　　新年伊始，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國內(nèi)首款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國....

　　在啟動期間，由于反向恢復(fù)dv/dt，零電壓開關(guān)運(yùn)行可能會丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障。 在啟...

　　隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和....

　　隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大，導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴，另外有源-鉗位方...

　　基于客戶對該產(chǎn)品的電性要求極其苛刻且產(chǎn)品要快速進(jìn)入市場，經(jīng)過長達(dá)1個(gè)多月的日夜奮戰(zhàn)，對產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)的....

　　本文將深入探討有源鉗位吸收器電及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式，該吸 收器電可以避免電壓偏移，特別是能消除MOS....

　　汽車控制單元模塊主要集中在比如電機(jī)控制、EPS、新能源車的輕混水泵、油泵等。富士通的代理品牌 S....

　　[table] [tr][td]我使用TINA仿真脈沖發(fā)生器，由MOSFET發(fā)出的脈沖注入傳輸線后反射的波形為啥和傳輸線理論計(jì)算的不一樣...

　　IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種電壓控制型功率器件，它所需驅(qū)率小，控制電簡單，導(dǎo)通壓降低，....

　　PT6007V 是一款專為吸塵器設(shè)計(jì)的 5～7 串鋰離子/聚合物電池的電池芯片，可降低因電池過充....

　　本書系統(tǒng)論述DC-DC高頻開關(guān)電源的工作原理與工程設(shè)計(jì)方法。主要包括：PWM變換器和軟開關(guān)PWM變換....

　　如圖是通用的全橋整流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，輸入48V,輸出24V50A。 但是我測試中發(fā)現(xiàn)，帶載后MOS管反峰電壓過高，200V的MOS管，...

　　最近用mosfet做PFC boost電交流160V升到直流400v的時(shí)候，直流側(cè)升到375v的時(shí)候電輸出二極管爆炸，直接炸成兩半，后來測電...

　　新年伊始，Allegro祝各位朋友新的一年健康快樂，事業(yè)有成！今天Allegro這里介紹的是符合IS....

　　Topswitch FX采用成熟的Topswitch拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，成本高效地集成了許多新功能，可降低系統(tǒng)....

　　請問如何通過MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來確定 MOSFET 的開關(guān)頻率大概是多...

　　1971年，第一顆劃時(shí)代的大規(guī)模集成電產(chǎn)品Intel4004出現(xiàn)，它使用MOSFET集成電技術(shù)，....

　　本書在簡析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參數(shù)及其對驅(qū)動電的要求的基礎(chǔ)上，....

　　GaN材料原先被用為如藍(lán)色LED等LED類產(chǎn)品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并....

　　從2000年開始進(jìn)入開關(guān)電源產(chǎn)品行業(yè)，一直從事開關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和開發(fā)，對開關(guān)電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，產(chǎn)品制....

　　大家好，我現(xiàn)在正在實(shí)習(xí)，需要你們的幫助。我的長期目標(biāo)是用塊換向控制無刷直流電動機(jī)的速度。模擬的話，一切都完成了，我將調(diào)整...

　　反激式拓?fù)?反激式轉(zhuǎn)換器是最常用的 SMPS 電（圖 1）。 圖 1：使用單個(gè) MOSFET 開關(guān)和反激式變壓器的反激式轉(zhuǎn)...

　　對于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)，為了最大限度的提高小型電動機(jī)的輸出....

　　本文通過等效電分析，通俗易懂的IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。

　　描述 PMP10852B 參考設(shè)計(jì)使用 LM5117、用于高側(cè) MOSFET 的 CSD18563 以及用于低側(cè) MOSFET...

　　SP3313是一款輸入耐壓可達(dá)33V，并且能夠?qū)崿F(xiàn)恒壓以及恒流的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置50mΩ....

　　SP3406有一個(gè)最佳的輸入電壓降壓轉(zhuǎn)換器，可以在CV（恒定輸出電壓）模式或CC（恒定輸出電流）模式....

　　SP3413是一款輸入耐壓可達(dá)42V，7~32V輸入電壓條件正常工作，并且能夠?qū)崿F(xiàn)恒壓以及恒流的同步....

　　SX1308是一款高效的電流模式控制升壓直流-直流調(diào)節(jié)器，集成了120MΩrds（on）通道MOSF....

　　InnoSwitch™-CP系列IC可極大簡化低壓大電流電源的開發(fā)和制造，尤其是那些采用緊湊外殼或需....

　　本書詳細(xì)介紹了UPS的分類， UPS各組成部分的原理、電及設(shè)計(jì)和調(diào)試方法，對可靠性、輸入功率因數(shù)及....

　　功率器件受下游新能源汽車、變頻家電、軍工產(chǎn)品等市場領(lǐng)域需求爆發(fā)的影響，上游晶圓供不應(yīng)求，供給緊張，功....

　　PL8311是一款單片式36V，1.5A降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。 PL8311集成36V250mΩ高端和3....

　　8325B是一款ESOP-8封裝單片同步降壓穩(wěn)壓器。該器件集成了兩個(gè)內(nèi)阻分別為108毫歐和102毫歐....

　　電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和....

　　SP4054 是一個(gè)完善的單片鋰離子電池恒流/恒壓線形電源管理芯片。它薄的尺寸和小的外包裝使它便于便....

　　PL8322是一款ESOP-8封裝單片同步降壓穩(wěn)壓器。該器件集成了兩個(gè)內(nèi)阻分別為76毫歐和52毫歐的....

　　8329B是一款SOP-8封裝單片同步降壓穩(wěn)壓器。該器件集成了兩個(gè)內(nèi)阻分別為78毫歐和67毫歐的功率....

　　SP4057 是一個(gè)完善的單片鋰離子電池恒流/恒壓線形電源管理芯片。它薄的尺寸和小的外包裝使它便于便....

　　8310是一款內(nèi)部集成了上、下MOS管的同步整流降壓型高效率開關(guān)變換器，上、下管的規(guī)格分別為36V ....

　　首先根據(jù)功放不同的放大類型可分為：Class A（A 類也稱甲類）、Class B（B 類也稱乙類）....

　　該產(chǎn)品采用 H 橋電結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電內(nèi)部集....

　　Allegro Microsystems推出經(jīng)ASIL認(rèn)證的全新BLDC MOSFET驅(qū)動器

　　今年圣誕有驚喜，杭州博聯(lián)CEO劉孺剛在云接入市場投下了4顆震撼彈，最大的一顆是宣布博聯(lián)3大云平臺全....

　　BJT 是一種電流控制型器件, 發(fā)射極e和集電極c傳導(dǎo)的工作電流受基極b引入的較小電流的控制, 如等....

　　薛添福指出，目前公司主力布局幾乎都在服務(wù)器、主機(jī)板和筆電等市場，今年第四季PC應(yīng)用對MOSFET需求....

　　MOSFET供應(yīng)商大中集成電11日舉辦法說會，對于未來展望，總經(jīng)理薛添福表示，產(chǎn)能不足的情況下，對....

　　功率半導(dǎo)體在節(jié)約能源方面起著重要的作用，然而之前令人無奈的是市場卻很小，但是，2017年世界市場規(guī)模....

　　在過去的幾十年里，電力這個(gè)話題一直被視為主要集中于提高設(shè)備的運(yùn)行效率和降低成本的一個(gè)挑戰(zhàn)。今天，隨著....

　　經(jīng)過10余年的技術(shù)積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新?；顒蝇F(xiàn)場，中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會秘書長蔚紅....

　　LLC諧振拓?fù)湓斫榻B和使用Gen2 SiC功率MOSFET的全橋LLC ZVS諧振變換器設(shè)計(jì)資料說....

　　“安全”是人們車途駕駛的第一保障，作為汽車及零部件的每一個(gè)制造廠商都會把“安全”作為研發(fā)生產(chǎn)的首要目....

　　JW5022S是一種電流模式單片降壓轉(zhuǎn)換器。JW5022S以4.5-24V的輸入范圍工作，通過兩個(gè)集....

　　MP2560是一種高頻降壓開關(guān)穩(wěn)壓器，具有集成的內(nèi)部高壓功率MOSFET。它提供2.5A輸出與電流模....

　　要了解 LLC，就要先了解軟開關(guān)。對于普通的拓?fù)涠裕陂_關(guān)管開關(guān)時(shí)，MOSFET 的 D-S 間的....

　　AAT4610將6V/2A的P溝道MOSFET場效應(yīng)管與柵極驅(qū)動器、電壓基準(zhǔn)、限流比較器和欠壓閉鎖電....

　　8英寸晶圓供給吃緊，帶動MOSFET漲價(jià)缺貨，廠商杰力預(yù)計(jì)MOSFET供不應(yīng)求情況將持續(xù)到明年上半年....

　　UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 輸入閾值的雙 5A 高速低側(cè)柵極驅(qū)動器

　　UCC27528-Q1器件是一款雙通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動器，能夠高效地驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵極型功率管（IGBT）電源開關(guān).UCC27528-Q1器件采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供高達(dá)5A的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的延遲（典型值為17ns）。除此之外，此驅(qū)動器特有兩個(gè)通道間相匹配的內(nèi)部延遲，這一特性使得此驅(qū)動器非常適合于諸如同步整流器等對于雙柵極輸入引腳閾值基于CMOS邏輯，此邏輯是VDD電源電壓的一個(gè)函數(shù)。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗噪性。使能引腳基于TTL和COMS兼容邏輯，與VDD電源電壓無關(guān)。 UCC27528-Q1是一款雙通道同相驅(qū)動器。當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí)，UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引腳（ENA和ENB），能夠更好地控制此驅(qū)動器應(yīng)用的運(yùn)行。這些引腳內(nèi)部上拉至VDD電源以實(shí)現(xiàn)高電平有效邏輯運(yùn)行，并且可保持?jǐn)嚅_連接狀態(tài)以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 AEC-Q100器件溫度等級1 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配 兩個(gè)的柵極驅(qū)動通道 5A峰值供源和吸收驅(qū)動電流 互補(bǔ)金屬氧化...

　　UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

　　UCC27211A器件驅(qū)動器基于廣受歡迎的UCC27201 MOSFET驅(qū)動器;但該器件相比之下具有顯著的性能提升。 峰值輸出上拉和下拉電流已經(jīng)被提高至4A拉電流和4A灌電流，并且上拉和下拉電阻已經(jīng)被減小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效應(yīng)平臺轉(zhuǎn)換期間用盡可能小的開關(guān)損耗來驅(qū)動大功率MOSFET。輸入結(jié)構(gòu)能夠直接處理-10 VDC，這提高了穩(wěn)健耐用性，并且無需使用整流二極管即可實(shí)現(xiàn)與柵極驅(qū)動變壓器的直接對接。此輸入與電源電壓無關(guān)，并且具有20V的最大額定值。＆gt; UCC27211A的開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS引腳）最高可處理-18V電壓，從而高側(cè)通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負(fù)電壓影響.UCC27210A（a CMOS輸入）和UCC27211A（TTL輸入）已經(jīng)增加了落后特性，從而使得用于模擬或數(shù)字脈寬調(diào)制（PWM）控制器的接口具有增強(qiáng)的抗擾度。 低端和高端柵極驅(qū)動器是控制的，并且在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一個(gè)額定電壓為120V的自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均配有欠壓鎖定功能，可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并且能夠在驅(qū)動電壓低于指定閾值時(shí)將輸出強(qiáng)制為低電平...

　　UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器件有效地驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能夠灌，拉高峰值電流脈沖進(jìn)入到電容負(fù)載，此電容負(fù)載提供了軌到軌驅(qū)動的雙極型晶體管（IGBT）開關(guān)。借助于固有的大大減少擊穿電流的設(shè)計(jì)能力以及極小延遲（典型值為17ns）。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V時(shí)提供4A拉電流和4A灌電流（對稱驅(qū)動）峰值驅(qū)動電流功能。 /p

　　UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的寬VDD范圍以及-40°C到140°C的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行.VDD引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖（UVLO）電保持VDD運(yùn)行范圍之外的輸出低電平。能夠運(yùn)行在諸如低于5V的低電壓電平上，連同同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性，使得此器件非常適合于驅(qū)動諸如GaN功率半導(dǎo)體器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供（只用于預(yù)覽）。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的輸入引腳閥值基于CMOS邏輯電，此邏輯電的閥值電壓是VDD電源電壓的函數(shù)。通常情況下，輸入高閥值（V IN-H ）是V DD 的55％，而輸入低閥值（V IN-L...

　　UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升壓、4A 峰值電流的高頻高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動器

　　UCC27211A-Q1器件驅(qū)動器基于廣受歡迎的UCC27201 MOSFET驅(qū)動器;但該器件相比之下具有顯著的性能提升。

　　峰值輸出上拉和下拉電流已經(jīng)被提高至4A拉電流和4A灌電流，并且上拉和下拉電阻已經(jīng)被減小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效應(yīng)平臺轉(zhuǎn)換期間用盡可能小的開關(guān)損耗來驅(qū)動大功率MOSFET。輸入結(jié)構(gòu)能夠直接處理-10 VDC，這提高了穩(wěn)健耐用性，并且無需使用整流二極管即可實(shí)現(xiàn)與柵極驅(qū)動變壓器的直接對接。此輸入與電源電壓無關(guān)，并且具有20V的最大額定值。 UCC27211A-Q1的開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS引腳）最高可處理-18V電壓，從而高側(cè)通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負(fù)電壓影響.UCC27211A-Q1已經(jīng)增加了落后特性，從而使得用于模擬或數(shù)字脈寬調(diào)制（PWM）控制器的接口具有增強(qiáng)的抗擾度。 低端和高端柵極驅(qū)動器控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一個(gè)額定電壓為120V的自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均配有欠壓鎖定功能，可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并且能夠在驅(qū)動電壓低于指定閾值時(shí)將輸出強(qiáng)制為低電平。 UCC27211A-Q1器件采用8引腳SO-...

　　TPS51604-Q1驅(qū)動器針對高頻CPU V CORE 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。具有精簡死區(qū)時(shí)間驅(qū)動和自動零交叉等高級特性，可用于在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)優(yōu)化效率。 SKIP 引腳提供立即CCM操作以支持輸出電壓的受控制理。此外，TPS51604-Q1還支持兩種低功耗模式。借助于三態(tài)PWM輸入，靜態(tài)電流可減少至130μA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng)跳過保持在三態(tài)時(shí)，電流可減少至8μA。此驅(qū)動器與適當(dāng)?shù)膬x器（TI）控制器配對使用，能夠成為出色的高性能電源系統(tǒng)。 TPS51604-Q1器件采用節(jié)省空間的耐熱增強(qiáng)型8引腳2mm x 2mm WSON封裝，工作溫度范圍為-40°C至125°C。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 具有符合AEC-Q100的下列結(jié)果： 器件溫度等級1：-40°C至125°C 器件人體模型靜電放電（ESD）分類等級H2 器件的充電器件模型ESD分類等級C3B 針對已優(yōu)化連續(xù)傳導(dǎo)模式（CCM）的精簡死區(qū)時(shí)間驅(qū)動電 針對已優(yōu)化斷續(xù)傳導(dǎo)模式（DCM）效率的自動零交叉檢測 針對已優(yōu)化輕負(fù)載效率的多個(gè)低功耗模式 為了實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的經(jīng)優(yōu)化信號徑延遲 針對超級本（超極）FET的集成BST開關(guān)驅(qū)動強(qiáng)度 針對5V FET驅(qū)動而進(jìn)行了優(yōu)化 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍（V...

　　UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 單門驅(qū)動器

　　UCC27532-Q1是一款單通道高速柵極驅(qū)動器，此驅(qū)動器可借助于高達(dá)2.5A的源電流和5A的灌電流（非對稱驅(qū)動）峰值電流來有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）和IGBT電源開關(guān)。非對稱驅(qū)動中的強(qiáng)勁灌電流能力提升了抗寄生米勒接通效應(yīng)的能力.UCC27532-Q1器件還特有一個(gè)分離輸出配置，在此配置中柵極驅(qū)動電流從OUTH引腳拉出并從OUTL引腳被灌入。這個(gè)引腳安排使得用戶能夠分別在OUTH和OUTL引腳采用的接通和關(guān)閉電阻器，并且能很輕易地控制開關(guān)的轉(zhuǎn)換率。 此驅(qū)動器具有軌到軌驅(qū)能以及17ns（典型值）的極小延遲。 UCC27532-Q1器件具有CMOS輸入閥值，此閥值在VDD低于或等于18V時(shí)介于比VDD高55％的電壓值與比VDD低45％的電壓值范圍內(nèi)。當(dāng)VDD高于18V時(shí)，輸入閥值保持在其最大水平上。 此驅(qū)動器具有一個(gè)EN引腳，此引腳有一個(gè)固定的TTL兼容閥值.EN被內(nèi)部上拉;將EN下拉為低電平禁用驅(qū)動器，而將其保持打開可提供正常運(yùn)行。EN引腳可被用作一個(gè)額外輸入，其性能與IN引腳一樣。 將驅(qū)動器的輸入引腳保持開狀態(tài)將把輸出保持為低電平。此驅(qū)動器的邏輯運(yùn)行方式顯示在,,和中。 VDD引腳...

　　UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

　　UCC27516和UCC27517單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）電源開關(guān).UCC27516和UCC27517采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的延遲（當(dāng)前VDD = 12V時(shí)，UCC27516和UCC27517可提供峰值為4A的灌/拉（對稱驅(qū)動）電流驅(qū)動能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的寬VDD范圍，以及-40°C至140°C的寬溫度范圍.VDD引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖（UVLO）電可以超出VDD運(yùn)行范圍時(shí)使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓（例如低于5V）下運(yùn)行，并且擁有同類產(chǎn)品中較好的開關(guān)特性，因此非常適用于驅(qū)動諸如GaN功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。 UCC27516和UCC27517特有雙輸入設(shè)計(jì)，同一器件可靈活實(shí)現(xiàn)反相（IN-引腳）和非反相（IN +引腳）配置+引腳和IN-引腳中的任何一個(gè)都可用于控制此驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮，輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí)，確保...

　　UCC27324-Q1高速雙MOSFET驅(qū)動器可為容性負(fù)載提供大峰值電流。采用本質(zhì)上最小化直通電流的設(shè)計(jì)，這些驅(qū)動器在MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間在Miller平臺區(qū)域提供最需要的4A電流。獨(dú)特的雙極和MOSFET混合輸出級并聯(lián)，可在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效的電流源和灌電流。 該器件采用標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8（D）封裝。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳 高電流驅(qū)動能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低電源電壓下也能實(shí)現(xiàn)高效恒流源 TTL和CMOS兼容輸入于電源電壓 典型上升時(shí)間為20 ns，典型下降時(shí)間為15 ns，負(fù)載為1.8 nF 典型延遲時(shí)間為25 ns，輸入下降，輸入時(shí)間為35 ns上升 電源電壓為4 V至15 V 供電電流為0.3 mA 雙輸出可以并聯(lián)以獲得更高的驅(qū)動電流 額定值從T J = -40°C至125°C TrueDrive輸出架構(gòu)使用并聯(lián)雙極晶體管和CMOS晶體管 參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 低側(cè)驅(qū)動器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

　　LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N. - 同步降壓或半橋配置的通道MOSFET。浮動高側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá)100 V的電源電壓下工作.A版本提供完整的3-A柵極驅(qū)動，而B和C版本分別提供2 A和1 A.輸出由CMOS輸入閾值（LM5100A /B /C）或TTL輸入閾值（LM5101A /B /C）控制。 提供集成高壓二極管為高端柵極充電驅(qū)動自舉電容。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行，同時(shí)消耗低功率并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定。這些器件采用標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8引腳，SO PowerPAD-8引腳和WSON-10引腳封裝。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封裝。 LM5101A還提供WSON-8引腳封裝。 特性 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET ...... 高低 - 驅(qū)動器邏輯輸入 自舉電源電壓高達(dá)118 V DC 快速時(shí)間（典型值為25 ns） 驅(qū)動1000-pF負(fù)載，8- ns上升和下降時(shí)間 優(yōu)秀的延遲匹配（3 ns 典型值） 電源軌欠壓鎖定 低功耗

　　引腳與HIP2100 /HIP2101兼容 參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 半橋驅(qū)動器   Number of Ch...

　　TPS2811雙通道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器能夠?yàn)楦呷菪载?fù)載提供2 A的峰值電流。這種性能是通過一種設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，該設(shè)計(jì)本身可以最大限度地減少直通電流，并且比競爭產(chǎn)品消耗的電源電流低一個(gè)數(shù)量級。 TPS2811驅(qū)動器包括一個(gè)穩(wěn)壓器，允許在14 V和14 V之間的電源輸入工作。 40 V.穩(wěn)壓器輸出可以為其他電供電，前提是功耗不超過封裝。當(dāng)不需要穩(wěn)壓器時(shí)，REG_IN和REG_OUT可以保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，或者兩者都可以連接到V CC 或GND。 TPS2811驅(qū)動器采用8引腳TSSOP封裝并在-40°C至125°C的溫度范圍內(nèi)工作。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動程序更換 25-ns Max Rise /下降時(shí)間和40-ns Max 延遲，1-nF負(fù)載，V CC = 14 V 2-A峰值輸出電流，V CC

　　= 14 V 輸入電壓高或低的5μA電源電流 4 V至14 V電源電壓范圍;內(nèi)部調(diào)節(jié)器將范圍擴(kuò)展至40 V -40°C至125°C溫度工作范圍 參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 低側(cè)驅(qū)動器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

　　UCC27511和UCC27512單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）電源開關(guān).UCC27511和UCC27512采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的延遲（典型值為13ns）。 UCC27511特有雙輸入設(shè)計(jì)，同一器件可靈活實(shí)現(xiàn)反相（IN-引腳）和非反相（IN +引腳）配置+引腳和IN-引腳均可用于控制驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳可用于啟用和禁用功能。出于安全考慮，輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí)，確保 UCC27 511器件的輸入引腳閾值基于與TTL和COMS兼容的低電壓邏輯電，此邏輯電是固定的且與V DD 電源電壓無關(guān)。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗擾度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉電流，8A灌電流（非對稱驅(qū)動）峰值驅(qū)動電流能力。非對稱驅(qū)動中的強(qiáng)勁灌電流能力提升了抗寄生，米勒接通效應(yīng)的能力.UCC27511器件還具有一個(gè)獨(dú)特的分離輸出配置，其中的柵極驅(qū)動電流通過OUTH引腳拉出，通過OUTL引腳灌入。這種獨(dú)特的引腳排列使...

　　UCC27516和UCC27517單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）電源開關(guān).UCC27516和UCC27517采用的設(shè)計(jì)方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時(shí)提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的延遲（當(dāng)前VDD = 12V時(shí)，UCC27516和UCC27517可提供峰值為4A的灌/拉（對稱驅(qū)動）電流驅(qū)動能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的寬VDD范圍，以及-40°C至140°C的寬溫度范圍.VDD引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖（UVLO）電可以超出VDD運(yùn)行范圍時(shí)使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓（例如低于5V）下運(yùn)行，并且擁有同類產(chǎn)品中較好的開關(guān)特性，因此非常適用于驅(qū)動諸如GaN功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。 UCC27516和UCC27517特有雙輸入設(shè)計(jì)，同一器件可靈活實(shí)現(xiàn)反相（IN-引腳）和非反相（IN +引腳）配置+引腳和IN-引腳中的任何一個(gè)都可用于控制此驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳可被用于啟用和禁用功能。出于安全考慮，輸入引腳上的內(nèi)部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí)，確保...

　　UCC2720x-Q1系列高頻N溝道MOSFET驅(qū)動器包括一個(gè)120V自舉二極管和的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器輸入以實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活這允許在半橋，全橋，雙開關(guān)正向和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行N溝道MOSFET控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器可控制，并在相互之間的和關(guān)斷之間匹配1 ns。 片內(nèi)自舉二極管消除了外部分立二極管。為高側(cè)驅(qū)動器和低側(cè)驅(qū)動器提供欠壓鎖定，如果驅(qū)動器電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。 提供兩種版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪聲免疫CMOS輸入閾值，UCC27201-Q1具有TTL兼容閾值。 兩款器件均采用8引腳SO PowerPAD（DDA）封裝。對于所有可用封裝，請參見數(shù)據(jù)手冊末尾的可訂購附錄。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 AEC-Q100符合以下結(jié)果： 設(shè)備溫度等級1： -40°C至125°C工作溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C5 驅(qū)動兩個(gè)高側(cè)和低側(cè)配置的N溝道MOSFET 最大啟動電壓：120 V 最大V DD

　　電壓：20 V 片內(nèi)0.65 V VF，0.6ΩRD自舉二極管 大于1 MHz的工作 20- ns延遲時(shí)間 3-A漏極，3A源輸出電流 8-ns上升和...

　　UCC2753x單通道高速柵極驅(qū)動器可有效地驅(qū)動MOSFET和IGBT電源開關(guān).UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅(qū)動（分離輸出）提供高達(dá)2.5A和5A灌電流的設(shè)計(jì)，同時(shí)結(jié)合了支持負(fù)斷偏置電壓，軌道軌道驅(qū)能，極小延遲（通常為17ns）的功能，是MOSFET和IGBT電源開關(guān)的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強(qiáng)大的不對稱驅(qū)動提高了器件對寄生米勒效應(yīng)的抗擾性，并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持?jǐn)嚅_狀態(tài)將使驅(qū)動器輸出保持低電平。驅(qū)動器的邏輯行為顯示在應(yīng)用圖，時(shí)序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內(nèi)部電提供一個(gè)欠壓鎖定功能，此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內(nèi)之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅(qū)動器（為FET和IGBT的驅(qū)動提供最佳解決方案） 分立式晶體管（1800pF負(fù)載時(shí)的典型值分別為15ns和7ns） 欠壓鎖定（UVLO） 被用作高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器（如果采用適當(dāng)?shù)钠┲煤托盘柛綦x設(shè)計(jì)） 低成本，節(jié)省空間的5引腳或6引腳DBV（SOT-23）封裝選項(xiàng) UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍：...

　　UCC27517A-Q1 具有 5V 負(fù)輸入電壓處理能力的 4A/4A 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器

　　UCC27517A-Q1單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器件有效地驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管UCC27517A-Q1能夠灌，拉高峰值電流脈沖進(jìn)入到電容負(fù)載值為13ns）。 UCC27517A-Q1器件在輸入上處理-5V電壓。 當(dāng)V DD = 12V時(shí)，UCC27517A-Q1可提供峰值為4A的灌/拉（對稱驅(qū)動）電流驅(qū)動能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的寬V DD 范圍以及-40°C至140° C的寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行.V DD 引腳上的內(nèi)部欠壓鎖定（UVLO）電可在V DD 超出運(yùn)行范圍時(shí)使輸出保持低電平。此器件能夠在低電壓（例如低于5V）下運(yùn)行，并且擁有同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性，因此非常適用于驅(qū)動諸的GaN功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。 特性 符合汽車應(yīng)用要求 具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果： 符合汽車應(yīng)用要求的器件溫度1級：-40°C至125°C的運(yùn)行溫度范圍 器件人體放電模式（HBM）靜電放電（ESD）分類等級2 器件組件充電模式（CDM）ESD分類等級C6 低成本柵極驅(qū)動器件提供NPN和PNP離散解決方案的高品質(zhì)替代產(chǎn)品 4A峰值拉電流和灌電流對稱驅(qū)動 能夠輸入上處理負(fù)...

　　UCC27210和UCC27211驅(qū)動器是基于廣受歡迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驅(qū)動器，但性能得到了顯著提升。峰值輸出上拉和下拉電流已經(jīng)被提高至4A拉電流和4A灌電流，并且上拉和下拉電阻已經(jīng)被減小至0.9Ω，因此可以在MOSFET的米勒效應(yīng)平臺轉(zhuǎn)換期間用盡可能小的開關(guān)損耗來驅(qū)動大功率MOSFET?，F(xiàn)在，輸入結(jié)構(gòu)能夠直接處理-10 VDC，這提高了穩(wěn)健耐用性，并且無需使用整流二極管即可實(shí)現(xiàn)與柵極驅(qū)動變壓器的直接對接。這些輸入與電源電壓無關(guān)，并且具有20V的最大額定值。 UCC2721x的開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS引腳）最高可處理-18V電壓，從而高側(cè)通道不受寄生電感和雜散電容所固有的負(fù)電壓影響.UCC27210（a CMOS輸入）和UCC27211（ TTL輸入）已經(jīng)增加了滯后特性，從而使得到模擬或數(shù)字脈寬調(diào)制（PWM）控制器接口的抗擾度得到了增強(qiáng)。 低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器是控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了2ns的延遲匹配。 由于在芯片上集成了一個(gè)額定電壓為120V的自舉二極管，因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均配有欠壓鎖定功能，可提供對稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并且能夠在驅(qū)動電壓低于指定閾值時(shí)將輸出強(qiáng)制為低...

　　UCC27710是一款620V高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有0.5A拉電流，1.0A灌電流能力，專用于驅(qū)率MOSFET或IGBT。 對于IGBT，的VDD工作電壓為10V至20V，對于MOSFET，的VDD工作電壓為17V。 UCC27710包含特性，在此情況下，當(dāng)輸入保持開狀態(tài)時(shí)，或當(dāng)未滿足最低輸入脈寬規(guī)范時(shí)，輸出保持低位?；ユi和死區(qū)時(shí)間功能可防止兩個(gè)輸出同時(shí)打開。此外，該器件可接受的偏置電源范圍寬幅達(dá)10V至20V，并且為VDD和HB偏置電源提供了UVLO。 該器件采用TI先進(jìn)的高壓器件技術(shù)，具有強(qiáng)大的驅(qū)動器，擁有卓越的噪聲和瞬態(tài)抗擾度，包括較大的輸入負(fù)電壓容差，高dV /dt容差，開關(guān)節(jié)點(diǎn)上較寬的負(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)（NTSOA），以及互鎖。 該器件包含一個(gè)接地基準(zhǔn)通道（LO）和一個(gè)懸空通道（HO），后者專用于自電源或隔離式電源操作。該器件具有快速延遲特性并可在兩個(gè)通道之間實(shí)現(xiàn)卓越的延遲匹配。在UCC27710上，每個(gè)通道均由其各自的輸入引腳HI和LI控制。 特性 高側(cè)和低側(cè)配置 雙輸入，帶輸出互鎖和150ns死區(qū)時(shí)間 在高達(dá)620V的電壓下完全可正常工作，HB引腳上的絕對最高電壓為700V VDD建...

　　UCC2753x單通道高速柵極驅(qū)動器可有效地驅(qū)動MOSFET和IGBT電源開關(guān).UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅(qū)動（分離輸出）提供高達(dá)2.5A和5A灌電流的設(shè)計(jì)，同時(shí)結(jié)合了支持負(fù)斷偏置電壓，軌道軌道驅(qū)能，極小延遲（通常為17ns）的功能，是MOSFET和IGBT電源開關(guān)的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強(qiáng)大的不對稱驅(qū)動提高了器件對寄生米勒效應(yīng)的抗擾性，并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持?jǐn)嚅_狀態(tài)將使驅(qū)動器輸出保持低電平。驅(qū)動器的邏輯行為顯示在應(yīng)用圖，時(shí)序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內(nèi)部電提供一個(gè)欠壓鎖定功能，此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內(nèi)之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅(qū)動器（為FET和IGBT的驅(qū)動提供最佳解決方案） 分立式晶體管（1800pF負(fù)載時(shí)的典型值分別為15ns和7ns） 欠壓鎖定（UVLO） 被用作高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器（如果采用適當(dāng)?shù)钠┲煤托盘柛綦x設(shè)計(jì)） 低成本，節(jié)省空間的5引腳或6引腳DBV（SOT-23）封裝選項(xiàng) UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍：...

　　UCC2753x單通道高速柵極驅(qū)動器可有效地驅(qū)動MOSFET和IGBT電源開關(guān).UCC2753x器件采用一種通過不對稱驅(qū)動（分離輸出）提供高達(dá)2.5A和5A灌電流的設(shè)計(jì)，同時(shí)結(jié)合了支持負(fù)斷偏置電壓，軌道軌道驅(qū)能，極小延遲（通常為17ns）的功能，是MOSFET和IGBT電源開關(guān)的理想解決方案.UCC2753x系列器件也可支持使能，雙輸入以及反相和同相輸入功能。隔離輸出與強(qiáng)大的不對稱驅(qū)動提高了器件對寄生米勒效應(yīng)的抗擾性，并有助于減少地的抖動。 輸入引腳保持?jǐn)嚅_狀態(tài)將使驅(qū)動器輸出保持低電平。驅(qū)動器的邏輯行為顯示在應(yīng)用圖，時(shí)序圖和輸入與輸出邏輯真值表中。 VDD引腳上的內(nèi)部電提供一個(gè)欠壓鎖定功能，此功能在VDD電源電壓處于工作范圍內(nèi)之前使用輸出保持低電平。 特性 低成本柵極驅(qū)動器（為FET和IGBT的驅(qū)動提供最佳解決方案） 分立式晶體管（1800pF負(fù)載時(shí)的典型值分別為15ns和7ns） 欠壓鎖定（UVLO） 被用作高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器（如果采用適當(dāng)?shù)钠┲煤托盘柛綦x設(shè)計(jì)） 低成本，節(jié)省空間的5引腳或6引腳DBV（SOT-23）封裝選項(xiàng) UCC27536和UCC27537與TPS2828和TPS2829之間引腳對引腳兼容 工作溫度范圍：...

　　TPS51604驅(qū)動器針對高頻CPU V CORE 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。具有降低死區(qū)時(shí)間驅(qū)動和自動零交越等 SKIP 引腳提供CCM操作選項(xiàng)，以支持輸出電壓的受控制理。此外，TPS51604支持兩種低功耗模式。借助于脈寬調(diào)制（PWM）輸入三態(tài)，靜態(tài)電流被減少至130μA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP 被保持在三態(tài)時(shí)，電流被減少至8μA（恢復(fù)切換通常需要20μs）。此驅(qū)動器與合適的儀器（TI）控制器配對使用，能夠成為出色的高性能電源系統(tǒng)。 TPS51604器件采用節(jié)省空間的耐熱增強(qiáng)型8引腳2mm x 2mm WSON封裝，工作溫度范圍為-40°C至105°C。 特性 針對已優(yōu)化連續(xù)傳導(dǎo)模式（CCM）的精簡死區(qū)時(shí)間驅(qū)動電 針對已優(yōu)化斷續(xù)傳導(dǎo)模式（DCM）效率的自動零交叉檢測 針對已優(yōu)化輕負(fù)載效率的多個(gè)低功耗模式 為了實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的經(jīng)優(yōu)化信號徑延遲 針對超級本（超極本）FET的集成BST開關(guān)驅(qū)動強(qiáng)度 針對5V FET驅(qū)動而進(jìn)行了優(yōu)化 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍（V IN

　　):4.5V至28V 2mm×2mm 8引腳WSON散熱墊封裝 所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。 參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 半橋驅(qū)動器   Number of Channels (#) ...